加固ATR機箱電磁屏蔽的原理
一個屏蔽體具有3種哀減作用：
① 因為空氣於金屬交界阻抗的不相同而使得人射能量被屏蔽體表麵所反射，稱反射損耗R；
② 當人射能量通過屏蔽體時被吸收哀減，稱吸收損耗A；
③ 當入社能量通過屏蔽體內部，到達屏蔽體另一麵，由金屬與空氣交界阻抗不同引起的反射哀減，稱多重反射損耗B。
所以屏蔽的計算公式為：
SE=A+R+B
其中發射損耗與電磁波的波阻抗和屏蔽體的特征阻抗有關，而吸收損耗中趨膚深度則是一個關鍵因素。反射損耗（近場）的大小取決於電磁屏蔽產生源的性質以及與波源的距離和屏蔽體的阻抗為：
R(電)=lg（4500/D*f#Zs）
R(磁)=20lg（2*D#f/Zs）
而|Zs|=3.68*(f*u/6)1/2/100000000，遠場為R=20lg(377/4*Zs)
吸收損耗則與屏蔽體的磁導率、電導率及電磁波的頻率有關。
A=3.34（f x 6 x i）1/2 x i。
校正因子僅適用於近磁場環境並且吸收損耗小於10dB的情況。另外有一點必須說明，由於屏蔽體吸收效率不高，其內部的再反射會使穿過屏蔽層另一麵的能力增加，所以校正因子可能是個負數，表示屏蔽效率的下降情況。
B=20lg[1-exp(2t/6)]
式中，A為吸收損耗（dB）；R為反射損耗；B為校正因子；f為電磁屏蔽頻率（MHz）；i為相對導磁率，6位相對導電率；t為屏蔽罩厚度；D為波源與屏蔽之間的距離；Zs為屏蔽體阻抗。
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